GEAR4

Ochranný kryt opatřený vrstvou D3O®, díky které vaše zařízení ochrání při pádech z výšky až 5 metrů. Povrch krytu je navíc ošetřen antimikrobiální technologií, díky které dokáže eliminovat až 99,9 % běžných povrchových bakterií.Zadní stěna krytu je vyrobena z pevného polykarbonátu, který se využívá při výrobě neprůstřelných skel. Gear4 Ba

Recyklovatelný ochranný kryt opatřený vrstvou D3O®, který vaše zařízení ochrání při pádech z výšky až 4 metrů. 52 % D3O® Bio je vytvořeno za pomoci obnovitelných zdrojů. Díky tomu je při výrobě snížena spotřeba vody a spotřeba fosilních paliv. Gear4 D3O Copenhagen je kompatibilní s 5G a většinou bezdrátových nabíječek.Samotný kryt je 100%

Ochranný kryt vytvořený z materiálu D3O® Bio, který vaše zařízení ochrání při pádech z výšky až 3 metrů. Povrch krytu je opatřen antimikrobiální složkou, která inhibuje růst bakterií způsobujících zápach a chrání proti degradaci mikroorganismy.Ochranný kryt Bridgetown je kompatibilní s bezdrátovými nabíječkami, takže své zařízení můžete p

Ochranný kryt kompatibilní s bezdrátovými nabíječkami a 5G vyrobený z materiálu D3O® Crystalex. Kryt vaše zařízení ochrání při pádech z výšky až 4 metrů. Pouzdro je potaženo speciální antimikrobiální vrstvou, která inhibuje růst bakterií zodpovědných za vznik zápachu a celkově chrání materiál před degradací způsobenou mikroorganismy.Při v

Ochranný kryt kompatibilní s bezdrátovými nabíječkami a 5G vyrobený z materiálu D3O® Crystalex. Kryt vaše zařízení ochrání při pádech z výšky až 4 metrů. Pouzdro je potaženo speciální antimikrobiální vrstvou, která inhibuje růst bakterií zodpovědných za vznik zápachu a celkově chrání materiál před degradací způsobenou mikroorganismy.Při v

Ochranný kryt kompatibilní s 5G vyrobený z materiálu D3O®, který vaše zařízení ochrání při pádech z výšky až 3 metrů. Pouzdro je potaženo speciální antimikrobiální vrstvou RepelFlex, která inhibuje růst bakterií zodpovědných za vznik zápachu a celkově chrání materiál před degradací způsobenou mikroorganismy.Kryt je vytvořen tak aby uživat

Ochranný kryt kompatibilní s 5G vyrobený z materiálu D3O®, který vaše zařízení ochrání při pádech z výšky až 3 metrů. Pouzdro je potaženo speciální antimikrobiální vrstvou RepelFlex, která inhibuje růst bakterií zodpovědných za vznik zápachu a celkově chrání materiál před degradací způsobenou mikroorganismy.Kryt je vytvořen tak aby uživat

Ochranný kryt kompatibilní s MagSafe vyrobený z materiálu D3O® Crystalex, vaše zařízení ochrání při pádech z výšky až 4 metrů. Povrch krytu je obohacen o antimikrobiální vrstvu. Při výrobě krytu byl použit materiál D3O® Crystalex. Kryt se pyšní drop testem, který deklaruje ochranu zařízení při pádech z výšky až 4 metrů. Materiál je vytvoř

Ochranný kryt kompatibilní se systémem Apple MagSafe. Kryt je vyroben z materiálu D3O®, díky kterému vaše zařízení ochrání při pádech z výšky až 4 metrů. Kryt je navíc obohacen o antimikrobiální vrstvu. Při výrobě krytu byl použit materiál D3O®, díky tomu se kryt pyšní drop testem, který deklaruje ochranu zařízení při pádech z výšky až 4

Ochranný kryt kompatibilní se systémem Apple MagSafe. Kryt je vyroben z materiálu D3O®, díky kterému vaše zařízení ochrání při pádech z výšky až 4 metrů. Kryt je navíc obohacen o antimikrobiální vrstvu. Při výrobě krytu byl použit materiál D3O®, díky tomu se kryt pyšní drop testem, který deklaruje ochranu zařízení při pádech z výšky až 4

Ochranný kryt kompatibilní se systémem Apple MagSafe. Kryt je vyroben z materiálu D3O®, díky kterému vaše zařízení ochrání při pádech z výšky až 4 metrů. Kryt je navíc obohacen o antimikrobiální vrstvu. Bumper a tlačítka krytu jsou vyztuženy materiálem D3O® Bio,52 % tohoto materiálu je vytvořeno z obnovitelných zdrojů. Při výrobě použity

Ochranný kryt kompatibilní s MagSafe vyrobený z materiálu D3O®, který vaše zařízení ochrání při pádech z výšky až 3 metrů. Povrch krytu je obohacen o antimikrobiální vrstvu. Kryt je vytvořen tak aby uživateli poskytoval co nejpohodlnější přístup ke kamerám a ovládacím prvkům a neprokluzoval v ruce. Kryt Havana Snap tak vašemu zařízení nep